全网独家首发!国行版Galaxy S8/S8+详细评测
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三星旗舰近年都是双版本策略(Galaxy S6/Note5那一代除外),版本间的性能、拍照都会有一定出入。在很多媒体连Galaxy S8都还没拿到的情况下,我们爱搞机已经测过双版本的Galaxy S8/S8+了。

虚拟home键、人面识别和Exynos版的内容,可以戳《全网最细最全!三星Galaxy S8/S8+体验评测》《Exynos 8895版三星Galaxy S8/S8+评测视频》我们这次带来的是骁龙835版的S8/S8+详细评测,按照往年经验,Exynos版的赢面会更大一些,今年又会如何呢?

PS:因为国行可能要到5月份才上市,测试时的固件还算是比较早期的版本,最终版的表现可能会有一定的出入。

参数

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外观与做工

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Galaxy S8/S8+正面最震撼的是超高屏占比的圆角曲屏,正面没有任何标识,机身整体轮廓和Galaxy S7非常相似(大机轮廓更像Note7)。


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双曲面对称设计,闪光灯、心率传感器位置挪到左边,右侧放下了指纹识别模块,其不可按压,但滑动可以下拉/折叠通知栏(只能第一级下拉,无法完全拉下来)。正面很震撼,但背面就有点“偷懒挤牙膏”的嫌疑了。

今年所有版本正面都是黑色,但只有黑色版的边框也是黑色的,轮一体性上,黑色版肯定会是最好的。而这个做在玻璃下的黑色镀膜,在不同的光线和角度下也有细微的颜色差异。但要吐槽的是,测试机的背盖玻璃貌似没有防指纹涂层,随手就是一个指纹,希望量产机会补上涂层。


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熟悉的机身布局:右侧电源,左侧音量按键改成连体设计,并新增Bixby按钮。底部是耳机、Type-C接口、麦克风和扬声器开孔,顶部是卡槽(比Exynos版多了高通4G的贴纸)。国行版都是双卡,采用“与或卡托”设计,可以同时插入双nano-SIM卡或nano-SIM卡+mirco SD卡(需要双卡和内存卡拓展的用户,只能自己动手改造把sim卡贴在内存卡上了)。


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玻璃高于金属边框而且没有塑料垫圈过渡,贴合非常紧密,做工接缝无可挑剔。正反曲面弧度一致,上下玻璃边缘的2.5D弧度较前代要小一些。而金属边框有了亮面涂层,颜色和亮黑iPhone接近(蓝色版为蓝色边框,银色版的边框则为银色),具体防刮性能未知,肯定比亮黑版iPhone的防刮性能好,正常使用没发现划痕,但它沾染指纹和灰尘的能力对比iPhone并没有什么本质性差别。

Galaxy S8/S8+外观对比

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Galaxy S8/S8+的边角弧度接近,导致屏幕更大的大机看起来更像是Note7的强化版。两部机器的三维控制都很好(6.2英寸屏幕的S8+宽度只比S7 edge大0.8mm),单独放置很难发现S8+是大机,测试的时候也经常得反应一下才能发现自己拿的的哪一部。

5.8英寸屏幕的S8,真机非常小巧,大小和5.1英寸屏幕的华为P10接近,手感和单手操控性出色。而S8+宽度不是问题,但长度上和6寸屏机型接近,放在稍微紧身一点的牛仔裤口袋里,可能会顶口袋。

关于误触方面,左右两侧在单手操作的时候已经没有多少误触了,但单手拉通知栏或者点上部按钮的时候,还是会有大几率误触的。虚拟按键方面,因为下巴很窄,按键的最终位置和三星机型常见的机型非常接近,出乎预料地没有多少习惯成本。

屏幕

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Galaxy S8/S8+分别搭载5.8和6.2英寸曲面圆角18.5:9屏幕,2960×1440分辨率(系统默认模式以2220*1080的分辨率渲染,需要在设置或设备管理器中进行更改才能全分辨率渲染),两机的PPI分别达到570和529,支持HDR,通过了UHD联盟认证,符合4K HDR视频播放标准。

所有版本的屏幕都一致,S8的屏幕手动亮度最高365尼特,全白屏强光下最高亮度在600尼特左右。基本模式比以前色温更冷一些,达到了7000K,deltaE(越小越好)平均2.7,最大只有5。整体数据还是比较优秀的,但曲屏里面,色准最好的还是S6 edge。作为对比iPhone 7是1.6,Note5是1.8,S6 edge+是2.6,S7 edge是2.9。

极限亮度与偏红问题:自动模式下强光照射,再加上白色显示面积缩小的情况下,S8极限亮度可以达到909尼特,S8+可以达到875尼特左右,极限亮度成绩比Note7稍弱,但也不排除这是测试机个体差异,或是仪器所限。另外值得注意的是,我们拿到的4台国行Galaxy S8/S8+,都有一定程度的屏幕发红倾向,上下角度稍微一大就会偏红。这是之前欧版G950F/G955F上都没有这样的现象,希望只是测试机的个体问题。

系统

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桌面


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桌面负一屏Bixby


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强化版通知栏


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国行版默认全网通,而港版不出意外也可会支持电信卡

国行版的系统和欧版G950F/G955F略有差别,多了部分很接地气的功能(当然,大部分在S7上已经有了):设备管理器有自启控制、详细的流量控制、下拉栏亮度调节可以选择是否直接在第一次下拉的时候显示、通知栏快捷开关可以调整按钮疏密程度、电话有黄页、短信有类型标签分类、多任务界面有全屏拉伸快捷按钮等。

特殊比例适配与大小机差异

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2K15默认会有黑边

今年Galaxy S8/S8+采用18.5:9比例屏幕,严格遵循安卓设计规范的应用一般都可以自动适应。但安卓平台的应用,特别是国内应用良莠不齐。实际测试,UC/京东等资讯型应用,2K15/2K17/崩坏3/激流快艇/神庙逃亡等游戏,默认开启不会自动拉伸,会有黑边。


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拉伸前后对比


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游戏助手(虚拟按键栏会自动显示游戏助手和按键屏蔽等功能)

成功拉伸:

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激流快艇3


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NBA 2K17


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崩坏3

但国行系统中,在多任务界面有“全屏拉伸”按钮,可以对应用进行强行拉伸,这是国行三星的游戏助手里新增的一个功能。自动全屏之后效果相当自然,像UC、京东、激流快艇、崩坏3等,所有的20几个第三方应用都能全屏显示。


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UC和京东,自动拉伸前后


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拉伸前后画面叠加


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神庙逃亡也无法完美拉伸,游戏进入的画面没有压扁,而是横向纵向都被拉伸,因此丢失了横向的边缘内容

自动拉伸效果:大部分应用都能无损全屏显示,在王者荣耀等部分游戏和资讯类应用,更长的屏幕会有更大的视野,可以显示更多的内容。但NBA 2K17是直接拉伸画面,画面贴图会有压扁的现象,无法利用18.5:9画面多出来的视野;寺庙逃亡甚至出现了开始画面纵向和横向共同拉伸的情况(边缘画面丢失了),而且还保留了虚拟按键条……GPU GFLOPS这种冷门应用,在S8+上还出现了内容与通知栏重叠的问题(下图最右侧)。


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左侧两张为S8拉伸前后,右侧两张为S8+拉伸前后


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左侧两张为S8和S8+的黄页,右侧两张为S8和S8+上的浏览器

大小机显示内容对比:在5.8英寸屏幕的S8上,其通知栏和虚拟按键条本身就更宽,对于本来就不是全屏显示的普通应用,拉不拉伸其实都不会有大的体验提升。

6.2英寸屏幕的S8+,其DPI更高(内容显示密度更大),同样的应用,其实际显示的每个元素都和S8差不多,同一个应用一般都能多显示一两行。S8+不但拉伸前后分别更大,而且其全屏拉伸后,显示内容的优势会更加明显。对于深度用户或者游戏玩家,S8+会有更大的视野,其会是更适合“作弊”的工具。

性能

我们爱搞机之前测的欧版G950F/G955F,用的是三星自家的Exynos8895(亚太版、韩版、台版都是这个处理器),而国行、港版、日版、美版则是高通骁龙835。

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性能分析:骁龙820上的Kryo是高通第一个全自主设计的64位CPU,这个独特的构架在浮点的IPC性能(每周期可处理的指令数,可以笼统理解性能=IPC*频率)很强,但整数IPC性能还不如ARM之前的A57构架(A72的前代),能效比也要低一点。但今年高通放弃了前代的完全自主构架,新的Kryo 280核心,采用的极有可能是修改版的4核A73+4核A53,除了名字,和原来的Kryo构架并没有没有什么传承关系。

骁龙835的CPU在表现上也和Kirin 960上的A73非常接近,整数运算IPC性能对比820/821有明显的提升,但浮点性能对比前代有所下降(整数运算影响日常应用速度、浮点运算更多影响图形性能)。

而GPU方面,Adreno 540和骁龙820上的Adreno530构架分别不大,做了小优化避免以前的瓶颈,并对ALU和寄存器进行了优化。通过改进depth rejection深度过滤器减轻了每个像素点的计算负载,以提升性能表现并降低能耗。再加上10nm制程,让其可以做到更高频率(从624MHz小幅增长到710MHz)。高通宣称在3D渲染上,其对比820的Adreno 530有25%的提升。但S8/S8+上的GPU频率只有670MHz,实际性能涨幅预计“只有”15-20%。

对比对象:我们使用满频的骁龙835原型机(最高主频2.45G,GPU最高710MHz)、同代Exynos 8895的代表S8+(G955F测试机最高频可以达到2.5G)、骁龙821的代表一加3T、Kirin960的代表荣耀V9、以及前代Exynos 8890的代表S7 edge进行对比。详细对比可以戳我们爱搞机的跑分库查看。


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CPU运算性能测试

性能和续航的天平上,三星的调教向来更偏向与续航,国行S7 edge更是性能几乎垫底的骁龙820机型。比较遗憾的是,在骁龙835上也很可能会重复这样的悲剧。

因为最高主频“只有”2.36GHz,国行S8/S8+的CPU性能不如骁龙835原型机,赢上一年的骁龙821/Exynos8890问题不大,但还是输给了自家的欧版S8+(8895)、Kirin960(荣耀V9)和骁龙835原型机,是这一代3大旗舰SoC里,暂时CPU部分最弱的一个。而8895在三星的调教上,依旧可以和835原型机、Kirin960互有胜负,成绩喜人。

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GPU图形性能测试

骁龙835性能狂暴,虽然不如835原型机,但仅凭Galaxy S8/S8+上的“只有”670MHz的GPU,成绩已经抛离前代骁龙821和Kirin960等对手一截,更是把前代Exynos8890按在地上摩擦。

这个史无前例的图形性能,放在游戏上,可以比前代跑在更低的频率下,而且GPU占用率更低,发热控制更好。在821玩起来还是摊手的NBA 2K15/2K17上,国行版Galaxy S8/S8+的GPU大部分时间维持在257MHz,连向来压榨GPU的激流快艇3极限频率也只有414MHz。这个反映到实际上,就是Galaxy S8/S8+在大型游戏里不但非常流畅,而且还只是温手级别,这对游戏的发热和续航都是个好消息。


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存储性能测试

这里所有的S8/S8+都是64G,S7 edge为32G,一加3T和荣耀V9为128G。闪存测试中,一般容量越大,速度越快。但实际成绩中,Galaxy S8/S8+持续读写性能狂暴,即便容量只有64G,但都把荣耀V9和一加3T砍于马下。比较可惜的是,骁龙835版还是弱于Exynos 8895版。而随机读写性能,会直接影响应用开启速度,除了荣耀V9有逆天的表现外,双版本S8+的成绩都比国行S8要强,具体原因不明。

核心调度&发热

Galaxy S8/S8+上的骁龙835本来就是降频版,最高主频从2.45G降到了2.36G,再加上10nm制程的支持,这是极少数可以长时间“最高频”运行的SoC。

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拷机期间频率监控(左S8,右S8+)


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15分钟拷机输出记录(左S8,右S8+)

Galaxy S8/S8+日常应用开启和运行基本都可以8核全开满频跑,在30分钟的NBA2K15/激流快艇3后,拷机也能长时间满频运行,只是每隔一段时间会有段时间的小幅降频,8核全开拷机15分钟都没有明显的性能下降,表现惊艳。这是多年来,少数可以货真价实用足理论性能的旗舰芯。


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此外,游戏期间的发热也不高,仅是温手的级别,只有在亮度最高再加烤机的时候可以达到烫手的级别。因为普通大型游戏和压榨GPU的游戏,对骁龙835来说压力已经不够了,导致我们平时的游戏发热测试中测得的温度偏低。室温26度,运行激流快艇25分钟后,S8+最高温只有36.6度;而运行NBA 2K15的S8最高温更是只有34.4度,表现惊艳。

Galaxy S8/S8+拍照对比

拍照方面,虽然Galaxy S8/S8+上的摄像头传感器从前代的IMX260/S5K2L1换成了IMX333/S5K2L2,正如发布会所说,这次的重点不是硬件,而是软件升级。摄像头参数还是1/2.55,1.4μm单位像素,双核对焦,F1.7光圈。

这次拿到的4台国行Galaxy S8/S8+,用的都是索尼的IMX333传感器,而上次测试的欧版G950F/G955F则是S5K2L2,暂时未知会否像上一年一样出现处理器和传感器交叉混用的情况。

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国行版Galaxy S8/S8+相机界面比前代精简,左右滑动分别是模式切换和各种拍照装饰/滤镜/水印。不得不说,这个半屏显示和拍照装饰相当接地气。此外还加入了快门按钮左右滑动进行变焦、上下滑动切换前后置摄像头的设定。


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拍照体验:国行工程机的相机完成度要比国际版(8895)工程机要低,整体拍照体验比国际版和前代都要差一些。首先是其相机快捷启动和热启动速度,都比8890版S7 edge慢,而且弱光取景的噪点也要更加明显。虽然现阶段的国行工程机对焦依旧很快,成片率也非常高,但成片速度却反而比8890版S7 edge慢。这个差距在光线变差,触发多帧合成等夜景算法后会更加明显。

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场景1、2


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场景3、4


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画面中央放大


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画面中央放大


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场景6、7


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画面中央放大

成片效果上,我们手上的国行版S8固件更新一些,两部机器实际成片在测光上略有差异,但整体分别不大。

Galaxy S8/S8+、S7 edge、iPhone、华为P10拍照对比

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场景1


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场景1中央放大


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场景2


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场景3(主要看眩光控制)


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场景4


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场景5画面中央放大


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场景6


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场景6画面中央放大


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场景7


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场景8画面中央放大


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场景9


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场景9画面中央放大


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场景10画面中央放大


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场景11


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场景11画面中央放大


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场景12画面中央放大


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极弱光场景13


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极弱光场景13画面中央放大

和S7 edge、iPhone 7 Plus以及华为P10进行的对比中,国行版和国际版一样,在眩光控制、白平衡和降噪涂抹上都有比较明显的提升,灯光场景白平衡不会像前代偏红偏暖噪那么明显。

而采用IMX333的国行版S8,其噪点涂抹不但比前代更干净,整体辨析力也和采用S5K2L2的国际版一样,都可以小胜S7 edge。进一步拉开了和iPhone 7 间的差距,而作为国产代表的P10,在拍照上有待改进的地方还比较多。

续航与充电

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因为上一年Galaxy Note7 的事故,三星对电池突然变得非常谨慎,Galaxy S8/S8+的电池分别缩水到了3000和3500mAh,容量都比5.5英寸屏幕的S7 edge要小。把Galaxy S8/S8+的屏幕面积折算成16:9屏幕的情况下,分别对应5.57英寸和5.95英寸。虽然有10nm制程SoC的加持,但两部机器的屏幕面积都变得更大了,不禁让人担忧它们的续航。

在开启全分辨率渲染后,经过了30分钟大型游戏(NBA 2K15),各30分钟的wifi和4G上网和30分钟本地视频播放,共2个小时的高强度续航测试后,Galaxy S8/S8+剩余电量都是83%,大机多出来的电量刚好被屏幕增长吃掉了。这个成绩甚至不但在前代之上,甚至超过了4000mAh电池级别的对手,得再次感叹10nm大法好。要注意的是,这个只是2小时的测试,如果时间继续延长,差距还会进一步被拉大。

上一年的骁龙820/821已经让安卓旗舰集体碾压iPhone 7 Plus了,而今年的骁龙835估计会让一大波旗舰在续航上越跑越远。


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虽然续航不必过于担心,但Galaxy S8/S8+还是维持了多年来的9V/1.67A充电头。之前的消息显示,Galaxy S8/S8+配的很可能就是Note7的TA200充电头。放在现在动辄24W以上的安卓旗舰面前,这充电功率确实有失机皇之名。

实际功率上,我们分别使用原装的9V/1.67A(15W,S7 edge的)AFC快充头、最高功率25W的快充头(三星Galaxy TabPro S平板上的)以及18W输出的PD标准快充头(Pixel XL的)进行测试,测试电量都在10%以下。结果Galaxy S8/S8+的充电功率都维持在12W左右。其中一部用着3月的固件的S8,充电功率甚至还被限制在了10W左右。

作为对比,S7 edge充电峰值功率是可以达到14-15W的,而Note7的峰值功率甚至可以达到20W。而Galaxy S8/S8+即便是一直维持12W充电而且电池只有3000mAh,机器的充电速度都不容乐观。三星这次的充电功率明显是过于保守了,希望后期固件和正式出货时,能放宽功率限制。

总结

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作为2017年上半年的卫冕机皇,Galaxy S8/S8+的表现确实可圈可点:

  1. 外观上,震撼的超高屏占比曲面圆角屏幕、顶级的做工、依旧保持的防尘防水,这些都无可挑剔;

  2. 更狭长的屏幕有更好的单手操作性,没有带来太多误触和兼容性问题,部分游戏还能作为“作弊工具”;

  3. 拍照虽然只是挤牙膏式地小幅提升,但对焦性能、弱光成像依旧难有敌手;

  4. 骁龙835在CPU性能方面未能和Kirin960拉开差距,还小输给Exynos 8895。GPU性能虽然碾压前代,但对比同代,则优势不再了;

  5. 在电池缩水的情况下,续航方面居然能反超前代,10nm制程的红利巨大。

今年Galaxy S8/S8+的境况,和上一年的S7 edge无比相似,甚至可以直接套用上一年的结语:和其他品牌的手机因为骁龙835的特性而获得加分不同,三星Galaxy S8/S8+反倒是因为骁龙835而被拉低了部分得分,这就是常年站在安卓之巅的厂商和其他厂商之间的差距。毫无疑问,它就是现役真正的安卓机皇,甚至“安卓”两个字都可以省略了。而它的对手,或许就剩下Exynos 8895版的自己了。


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