三星旗舰近年都是双版本策略(Galaxy S6/Note5那一代除外),版本间的性能、拍照都会有一定出入。在很多媒体连Galaxy S8都还没拿到的情况下,我们爱搞机已经测过双版本的Galaxy S8/S8+了。
虚拟home键、人面识别和Exynos版的内容,可以戳《全网最细最全!三星Galaxy S8/S8+体验评测》、《Exynos 8895版三星Galaxy S8/S8+评测视频》。我们这次带来的是骁龙835版的S8/S8+详细评测,按照往年经验,Exynos版的赢面会更大一些,今年又会如何呢?
PS:因为国行可能要到5月份才上市,测试时的固件还算是比较早期的版本,最终版的表现可能会有一定的出入。
Galaxy S8/S8+正面最震撼的是超高屏占比的圆角曲屏,正面没有任何标识,机身整体轮廓和Galaxy S7非常相似(大机轮廓更像Note7)。
双曲面对称设计,闪光灯、心率传感器位置挪到左边,右侧放下了指纹识别模块,其不可按压,但滑动可以下拉/折叠通知栏(只能第一级下拉,无法完全拉下来)。正面很震撼,但背面就有点“偷懒挤牙膏”的嫌疑了。
今年所有版本正面都是黑色,但只有黑色版的边框也是黑色的,轮一体性上,黑色版肯定会是最好的。而这个做在玻璃下的黑色镀膜,在不同的光线和角度下也有细微的颜色差异。但要吐槽的是,测试机的背盖玻璃貌似没有防指纹涂层,随手就是一个指纹,希望量产机会补上涂层。
熟悉的机身布局:右侧电源,左侧音量按键改成连体设计,并新增Bixby按钮。底部是耳机、Type-C接口、麦克风和扬声器开孔,顶部是卡槽(比Exynos版多了高通4G的贴纸)。国行版都是双卡,采用“与或卡托”设计,可以同时插入双nano-SIM卡或nano-SIM卡+mirco SD卡(需要双卡和内存卡拓展的用户,只能自己动手改造把sim卡贴在内存卡上了)。
玻璃高于金属边框而且没有塑料垫圈过渡,贴合非常紧密,做工接缝无可挑剔。正反曲面弧度一致,上下玻璃边缘的2.5D弧度较前代要小一些。而金属边框有了亮面涂层,颜色和亮黑iPhone接近(蓝色版为蓝色边框,银色版的边框则为银色),具体防刮性能未知,肯定比亮黑版iPhone的防刮性能好,正常使用没发现划痕,但它沾染指纹和灰尘的能力对比iPhone并没有什么本质性差别。
Galaxy S8/S8+的边角弧度接近,导致屏幕更大的大机看起来更像是Note7的强化版。两部机器的三维控制都很好(6.2英寸屏幕的S8+宽度只比S7 edge大0.8mm),单独放置很难发现S8+是大机,测试的时候也经常得反应一下才能发现自己拿的的哪一部。
5.8英寸屏幕的S8,真机非常小巧,大小和5.1英寸屏幕的华为P10接近,手感和单手操控性出色。而S8+宽度不是问题,但长度上和6寸屏机型接近,放在稍微紧身一点的牛仔裤口袋里,可能会顶口袋。
关于误触方面,左右两侧在单手操作的时候已经没有多少误触了,但单手拉通知栏或者点上部按钮的时候,还是会有大几率误触的。虚拟按键方面,因为下巴很窄,按键的最终位置和三星机型常见的机型非常接近,出乎预料地没有多少习惯成本。
Galaxy S8/S8+分别搭载5.8和6.2英寸曲面圆角18.5:9屏幕,2960×1440分辨率(系统默认模式以2220*1080的分辨率渲染,需要在设置或设备管理器中进行更改才能全分辨率渲染),两机的PPI分别达到570和529,支持HDR,通过了UHD联盟认证,符合4K HDR视频播放标准。
所有版本的屏幕都一致,S8的屏幕手动亮度最高365尼特,全白屏强光下最高亮度在600尼特左右。基本模式比以前色温更冷一些,达到了7000K,deltaE(越小越好)平均2.7,最大只有5。整体数据还是比较优秀的,但曲屏里面,色准最好的还是S6 edge。作为对比iPhone 7是1.6,Note5是1.8,S6 edge+是2.6,S7 edge是2.9。
极限亮度与偏红问题:自动模式下强光照射,再加上白色显示面积缩小的情况下,S8极限亮度可以达到909尼特,S8+可以达到875尼特左右,极限亮度成绩比Note7稍弱,但也不排除这是测试机个体差异,或是仪器所限。另外值得注意的是,我们拿到的4台国行Galaxy S8/S8+,都有一定程度的屏幕发红倾向,上下角度稍微一大就会偏红。这是之前欧版G950F/G955F上都没有这样的现象,希望只是测试机的个体问题。
桌面
桌面负一屏Bixby
强化版通知栏
国行版默认全网通,而港版不出意外也可会支持电信卡
国行版的系统和欧版G950F/G955F略有差别,多了部分很接地气的功能(当然,大部分在S7上已经有了):设备管理器有自启控制、详细的流量控制、下拉栏亮度调节可以选择是否直接在第一次下拉的时候显示、通知栏快捷开关可以调整按钮疏密程度、电话有黄页、短信有类型标签分类、多任务界面有全屏拉伸快捷按钮等。
2K15默认会有黑边
今年Galaxy S8/S8+采用18.5:9比例屏幕,严格遵循安卓设计规范的应用一般都可以自动适应。但安卓平台的应用,特别是国内应用良莠不齐。实际测试,UC/京东等资讯型应用,2K15/2K17/崩坏3/激流快艇/神庙逃亡等游戏,默认开启不会自动拉伸,会有黑边。
拉伸前后对比
游戏助手(虚拟按键栏会自动显示游戏助手和按键屏蔽等功能)
成功拉伸:
激流快艇3
NBA 2K17
崩坏3
但国行系统中,在多任务界面有“全屏拉伸”按钮,可以对应用进行强行拉伸,这是国行三星的游戏助手里新增的一个功能。自动全屏之后效果相当自然,像UC、京东、激流快艇、崩坏3等,所有的20几个第三方应用都能全屏显示。
UC和京东,自动拉伸前后
拉伸前后画面叠加
神庙逃亡也无法完美拉伸,游戏进入的画面没有压扁,而是横向纵向都被拉伸,因此丢失了横向的边缘内容
自动拉伸效果:大部分应用都能无损全屏显示,在王者荣耀等部分游戏和资讯类应用,更长的屏幕会有更大的视野,可以显示更多的内容。但NBA 2K17是直接拉伸画面,画面贴图会有压扁的现象,无法利用18.5:9画面多出来的视野;寺庙逃亡甚至出现了开始画面纵向和横向共同拉伸的情况(边缘画面丢失了),而且还保留了虚拟按键条……GPU GFLOPS这种冷门应用,在S8+上还出现了内容与通知栏重叠的问题(下图最右侧)。
左侧两张为S8拉伸前后,右侧两张为S8+拉伸前后
左侧两张为S8和S8+的黄页,右侧两张为S8和S8+上的浏览器
大小机显示内容对比:在5.8英寸屏幕的S8上,其通知栏和虚拟按键条本身就更宽,对于本来就不是全屏显示的普通应用,拉不拉伸其实都不会有大的体验提升。
而6.2英寸屏幕的S8+,其DPI更高(内容显示密度更大),同样的应用,其实际显示的每个元素都和S8差不多,同一个应用一般都能多显示一两行。S8+不但拉伸前后分别更大,而且其全屏拉伸后,显示内容的优势会更加明显。对于深度用户或者游戏玩家,S8+会有更大的视野,其会是更适合“作弊”的工具。
我们爱搞机之前测的欧版G950F/G955F,用的是三星自家的Exynos8895(亚太版、韩版、台版都是这个处理器),而国行、港版、日版、美版则是高通骁龙835。
性能分析:骁龙820上的Kryo是高通第一个全自主设计的64位CPU,这个独特的构架在浮点的IPC性能(每周期可处理的指令数,可以笼统理解性能=IPC*频率)很强,但整数IPC性能还不如ARM之前的A57构架(A72的前代),能效比也要低一点。但今年高通放弃了前代的完全自主构架,新的Kryo 280核心,采用的极有可能是修改版的4核A73+4核A53,除了名字,和原来的Kryo构架并没有没有什么传承关系。
骁龙835的CPU在表现上也和Kirin 960上的A73非常接近,整数运算IPC性能对比820/821有明显的提升,但浮点性能对比前代有所下降(整数运算影响日常应用速度、浮点运算更多影响图形性能)。
而GPU方面,Adreno 540和骁龙820上的Adreno530构架分别不大,做了小优化避免以前的瓶颈,并对ALU和寄存器进行了优化。通过改进depth rejection深度过滤器减轻了每个像素点的计算负载,以提升性能表现并降低能耗。再加上10nm制程,让其可以做到更高频率(从624MHz小幅增长到710MHz)。高通宣称在3D渲染上,其对比820的Adreno 530有25%的提升。但S8/S8+上的GPU频率只有670MHz,实际性能涨幅预计“只有”15-20%。
对比对象:我们使用满频的骁龙835原型机(最高主频2.45G,GPU最高710MHz)、同代Exynos 8895的代表S8+(G955F测试机最高频可以达到2.5G)、骁龙821的代表一加3T、Kirin960的代表荣耀V9、以及前代Exynos 8890的代表S7 edge进行对比。详细对比可以戳我们爱搞机的跑分库查看。
CPU运算性能测试
性能和续航的天平上,三星的调教向来更偏向与续航,国行S7 edge更是性能几乎垫底的骁龙820机型。比较遗憾的是,在骁龙835上也很可能会重复这样的悲剧。
因为最高主频“只有”2.36GHz,国行S8/S8+的CPU性能不如骁龙835原型机,赢上一年的骁龙821/Exynos8890问题不大,但还是输给了自家的欧版S8+(8895)、Kirin960(荣耀V9)和骁龙835原型机,是这一代3大旗舰SoC里,暂时CPU部分最弱的一个。而8895在三星的调教上,依旧可以和835原型机、Kirin960互有胜负,成绩喜人。
GPU图形性能测试
骁龙835性能狂暴,虽然不如835原型机,但仅凭Galaxy S8/S8+上的“只有”670MHz的GPU,成绩已经抛离前代骁龙821和Kirin960等对手一截,更是把前代Exynos8890按在地上摩擦。
这个史无前例的图形性能,放在游戏上,可以比前代跑在更低的频率下,而且GPU占用率更低,发热控制更好。在821玩起来还是摊手的NBA 2K15/2K17上,国行版Galaxy S8/S8+的GPU大部分时间维持在257MHz,连向来压榨GPU的激流快艇3极限频率也只有414MHz。这个反映到实际上,就是Galaxy S8/S8+在大型游戏里不但非常流畅,而且还只是温手级别,这对游戏的发热和续航都是个好消息。
存储性能测试
这里所有的S8/S8+都是64G,S7 edge为32G,一加3T和荣耀V9为128G。闪存测试中,一般容量越大,速度越快。但实际成绩中,Galaxy S8/S8+持续读写性能狂暴,即便容量只有64G,但都把荣耀V9和一加3T砍于马下。比较可惜的是,骁龙835版还是弱于Exynos 8895版。而随机读写性能,会直接影响应用开启速度,除了荣耀V9有逆天的表现外,双版本S8+的成绩都比国行S8要强,具体原因不明。
Galaxy S8/S8+上的骁龙835本来就是降频版,最高主频从2.45G降到了2.36G,再加上10nm制程的支持,这是极少数可以长时间“最高频”运行的SoC。
拷机期间频率监控(左S8,右S8+)
15分钟拷机输出记录(左S8,右S8+)
Galaxy S8/S8+日常应用开启和运行基本都可以8核全开满频跑,在30分钟的NBA2K15/激流快艇3后,拷机也能长时间满频运行,只是每隔一段时间会有段时间的小幅降频,8核全开拷机15分钟都没有明显的性能下降,表现惊艳。这是多年来,少数可以货真价实用足理论性能的旗舰芯。
此外,游戏期间的发热也不高,仅是温手的级别,只有在亮度最高再加烤机的时候可以达到烫手的级别。因为普通大型游戏和压榨GPU的游戏,对骁龙835来说压力已经不够了,导致我们平时的游戏发热测试中测得的温度偏低。室温26度,运行激流快艇25分钟后,S8+最高温只有36.6度;而运行NBA 2K15的S8最高温更是只有34.4度,表现惊艳。
拍照方面,虽然Galaxy S8/S8+上的摄像头传感器从前代的IMX260/S5K2L1换成了IMX333/S5K2L2,正如发布会所说,这次的重点不是硬件,而是软件升级。摄像头参数还是1/2.55,1.4μm单位像素,双核对焦,F1.7光圈。
这次拿到的4台国行Galaxy S8/S8+,用的都是索尼的IMX333传感器,而上次测试的欧版G950F/G955F则是S5K2L2,暂时未知会否像上一年一样出现处理器和传感器交叉混用的情况。
国行版Galaxy S8/S8+相机界面比前代精简,左右滑动分别是模式切换和各种拍照装饰/滤镜/水印。不得不说,这个半屏显示和拍照装饰相当接地气。此外还加入了快门按钮左右滑动进行变焦、上下滑动切换前后置摄像头的设定。
拍照体验:国行工程机的相机完成度要比国际版(8895)工程机要低,整体拍照体验比国际版和前代都要差一些。首先是其相机快捷启动和热启动速度,都比8890版S7 edge慢,而且弱光取景的噪点也要更加明显。虽然现阶段的国行工程机对焦依旧很快,成片率也非常高,但成片速度却反而比8890版S7 edge慢。这个差距在光线变差,触发多帧合成等夜景算法后会更加明显。
场景1、2
场景3、4
画面中央放大
画面中央放大
画面中央放大
场景6、7
画面中央放大
画面中央放大
画面中央放大
成片效果上,我们手上的国行版S8固件更新一些,两部机器实际成片在测光上略有差异,但整体分别不大。
场景1
场景1中央放大
场景2
场景3(主要看眩光控制)
场景4
场景5画面中央放大
场景6
场景6画面中央放大
场景7
场景7画面中央放大
场景8画面中央放大
场景9
场景9画面中央放大
场景10画面中央放大
场景11
场景11画面中央放大
场景12画面中央放大
极弱光场景13
极弱光场景13画面中央放大
和S7 edge、iPhone 7 Plus以及华为P10进行的对比中,国行版和国际版一样,在眩光控制、白平衡和降噪涂抹上都有比较明显的提升,灯光场景白平衡不会像前代偏红偏暖噪那么明显。
而采用IMX333的国行版S8,其噪点涂抹不但比前代更干净,整体辨析力也和采用S5K2L2的国际版一样,都可以小胜S7 edge。进一步拉开了和iPhone 7 间的差距,而作为国产代表的P10,在拍照上有待改进的地方还比较多。
因为上一年Galaxy Note7 的事故,三星对电池突然变得非常谨慎,Galaxy S8/S8+的电池分别缩水到了3000和3500mAh,容量都比5.5英寸屏幕的S7 edge要小。把Galaxy S8/S8+的屏幕面积折算成16:9屏幕的情况下,分别对应5.57英寸和5.95英寸。虽然有10nm制程SoC的加持,但两部机器的屏幕面积都变得更大了,不禁让人担忧它们的续航。
在开启全分辨率渲染后,经过了30分钟大型游戏(NBA 2K15),各30分钟的wifi和4G上网和30分钟本地视频播放,共2个小时的高强度续航测试后,Galaxy S8/S8+剩余电量都是83%,大机多出来的电量刚好被屏幕增长吃掉了。这个成绩甚至不但在前代之上,甚至超过了4000mAh电池级别的对手,得再次感叹10nm大法好。要注意的是,这个只是2小时的测试,如果时间继续延长,差距还会进一步被拉大。
上一年的骁龙820/821已经让安卓旗舰集体碾压iPhone 7 Plus了,而今年的骁龙835估计会让一大波旗舰在续航上越跑越远。
虽然续航不必过于担心,但Galaxy S8/S8+还是维持了多年来的9V/1.67A充电头。之前的消息显示,Galaxy S8/S8+配的很可能就是Note7的TA200充电头。放在现在动辄24W以上的安卓旗舰面前,这充电功率确实有失机皇之名。
实际功率上,我们分别使用原装的9V/1.67A(15W,S7 edge的)AFC快充头、最高功率25W的快充头(三星Galaxy TabPro S平板上的)以及18W输出的PD标准快充头(Pixel XL的)进行测试,测试电量都在10%以下。结果Galaxy S8/S8+的充电功率都维持在12W左右。其中一部用着3月的固件的S8,充电功率甚至还被限制在了10W左右。
作为对比,S7 edge充电峰值功率是可以达到14-15W的,而Note7的峰值功率甚至可以达到20W。而Galaxy S8/S8+即便是一直维持12W充电而且电池只有3000mAh,机器的充电速度都不容乐观。三星这次的充电功率明显是过于保守了,希望后期固件和正式出货时,能放宽功率限制。
作为2017年上半年的卫冕机皇,Galaxy S8/S8+的表现确实可圈可点:
外观上,震撼的超高屏占比曲面圆角屏幕、顶级的做工、依旧保持的防尘防水,这些都无可挑剔;
更狭长的屏幕有更好的单手操作性,没有带来太多误触和兼容性问题,部分游戏还能作为“作弊工具”;
拍照虽然只是挤牙膏式地小幅提升,但对焦性能、弱光成像依旧难有敌手;
骁龙835在CPU性能方面未能和Kirin960拉开差距,还小输给Exynos 8895。GPU性能虽然碾压前代,但对比同代,则优势不再了;
在电池缩水的情况下,续航方面居然能反超前代,10nm制程的红利巨大。
今年Galaxy S8/S8+的境况,和上一年的S7 edge无比相似,甚至可以直接套用上一年的结语:和其他品牌的手机因为骁龙835的特性而获得加分不同,三星Galaxy S8/S8+反倒是因为骁龙835而被拉低了部分得分,这就是常年站在安卓之巅的厂商和其他厂商之间的差距。毫无疑问,它就是现役真正的安卓机皇,甚至“安卓”两个字都可以省略了。而它的对手,或许就剩下Exynos 8895版的自己了。
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