近日下一代存储技术标准纷纷出炉，首先是SK海力士和三星将会共同开发全新一代HBM3显存，重点在传输带宽上进行提高。目前HBM2显存每一个通道最高能够达到256GB/s的带宽，HBM3显存则将这个数值提高到512GB/s。由于HBM3采用四通道设计，所以合计最多拥有2TB/s显存带宽。HBM2最高能够实现48GB容量，HBM3进一步提高到64GB，当然性能更强同时功耗也会更低。

HBM2貌似也只在GP100架构发布时候吸引了一定眼球，过后并没有大量用于显卡行业。相比小众的HBM显存，镁光在近日也公布了GDDR6显存规格。GTX1080上面显存标准依然是主流的GDDR，而并不是HBM。其搭载的GDDR标准正正就是镁光的GDDR5X，属于服役已久GDDR5和下一代标准GDDR6之间过渡产物。GTX1080上GDDR5X最高频率达到10Gbps。而下一代GDDR6显存标准将会提高到14-16Gbps。

显存有着落那么内存呢？今天，镁光正式公布了DDR4继任者——DDR5内存的详细规格。消息源来自镁光公布的文件，DDR5内存容量暂定为8-32GB，I/O带宽在3.2Gbps和6.4Gbps之间，电压为1.1V，内存带宽是DDR4内存的两倍。作为对比，我们看看12年DDR4标准规范刚刚公布出来时候的相关数值。DDR4内存容量标准为4-8GB，I/O带宽在1.6Gbps和3.2Gbps之间，可见DDR5相关参数在稳步提升。标准电压为1.2V，前三代标准分别是2.5V、1.8V和1.5V，电压数值这两代的变化并不是太大。

内存带宽方面，DDR4起跳频率为1600MHz，规范标准中提到最高能够达到4266MHz，芝奇在15年8月份已经发布了类似的内存条。双通道带宽可达68GB/s，上文镁光提到DDR5内存带宽将会是DDR4的两倍，换句话说很有可能达到136GB/s。那么起跳频率和最高频率估计也会进一步提高。

最后，镁光还表示他们将在2018年成功流片DDR5内存样品，并将在2019年正式量产。