速度秒三星！闪迪发布旗下首款UFS2.1闪存

2017年12月5日闪迪闪存发布了旗下新一代iNAND嵌入式闪存芯片，其中包含了UFS和eMMC两种标准的嵌入式闪存芯片。

根据闪迪的官方介绍，这两款芯片都采用了闪迪的64层3D堆叠技术，其中型号为iNAND 8521为UFS2.1闪存，而iNAND 7550则是eMMC闪存。iNAND 8521的连续读取速度超过800MB/s，写入速度超过500MB/S，随机读取速度则是比上一代的iNAND 7232快了10倍。随机读取速度高达50K IOPs，写入45K IOPs。

iNAND 7550的连续写入速度260MB/S。闪迪表示这两款芯片都已经交付工厂进行样品生产，两者的最高容量版本为256GB。

巧合的是，在同一天，三星官方也宣布旗下的512GB eUFS2.1闪存已经进入了量产阶段。相比之下，三星的这个512GB闪存在性能上要比闪迪今天公布的弱一些，三星表示，这个512GB eUFS闪存的速度是此前48层V-NAND 256GB eUFS的两倍之多，它的顺序读取速度为860MB/S，顺序写入速度为255MB/S，随机4K读取速度为42,000 IOPS，随机4K写入速度为40,000 IOPS。