世界首杀! 三星研发出了10nm FinFET工艺的SRAM
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据韩国媒体最新报道,三星半导体目前已经研发出了世界上第一颗基于10nm FinFET工艺的SRAM。其实IBM半导体联盟早在今年7月就制造了世界首个10nm的晶圆,但由于10nm工艺的技术难题,各大半导体厂家都相继推迟了它们的10nm 工艺计划。


世界首杀! 三星研发出了10nm FinFET工艺的SRAM

所谓的SRAM中文译名是静态随机存取存储器,大多数用于CPU缓存,基于10nm的SRAM相比于14nm而言,其面积可减少30%左右,这意味着将一定程度的降低CPU的功耗以及发热,同时可以以更小的面积塞进更多缓存,可提高CPU的性能。

就目前各家的10nm进展而言,IBM的商用10nm工艺最快也要2018年才面世,Intel的10nm也推迟到了2017年,台积电方面曾宣布将在2017年第一季度量产10nm CPU,而根据三星目前的计划以及进展,10nm的量产CPU最快可在2016年底实现,也许Galaxy S8还能赶上10nm SoC的首发呢。


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莫昌佑
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