近日由韩媒报道，三星电子被指侵犯了韩国科学技术院(KAIST)所持有的的鳍式场效应晶体管(即FinFET)制程工艺相关的专利，正在面临被诉讼。报道称称，10纳米FinFET工艺由韩国科学技术院所持有，但三星迅速窃取了这项技术，并准备将其用于生产高通最新的骁龙835 SoC。KAIST表示，三星是在邀请FinFET技术开发者、首尔大学教授李钟浩(Lee Jong-ho)向公司工程师展示FinFET技术原理时盗取了这项技术，而李钟浩是KAIST合伙人之一。与此同时同样采用FinFET技术的英特尔已经通过KAIST的授权使用，但包括三星、高通、台积电都没有向KAIST申请FinFET技术专利。
Copyright 2011-2024 爱搞机 深圳英鹏信息技术股份有限公司 版权所有
粤ICP备11095991号-5
抱歉，产品库没有您要找的产品
