28W快充！骁龙830或整合高通QC4.0

“充电两分钟，通话两小时”估计是近两年最深入人心的手机广告词。虽然每年都会有很多锂电池技术突破的新闻，但民用级别的锂电池已经原地踏步好多年，手机厂商也只能用堆容量和快充曲线进行曲线救国。而快充里面，普及率最高的无疑是高通的QC快充。

近日传闻高通已经开始为下年的旗舰芯骁龙830准备新的快充技术——QC4.0。高通快充全称QucikCharge，QC1.0最常见的规格是现在低端机上的5V2A充电；QC2.0走的高电压路线，最常见的是9V和12V的电压，功率一般在15-20W附近；QC3.0着重提升的是充电效率，INOV技术可提供200mV的步进电压调节梯度，提升速度之余可以减轻手机的发热。

而QC 4.0快充，传闻最高攻略可达28W的功率，采用5V/4.7A~5.6A和9V/3A（舍弃了12V），同时INOV技术的步进电压精度提升到10mV，进一步提升充电效率并减轻发热。预计由明年的骁龙830平台首发，而且甚至可能整合到SoC当中，但暂时未知会否提供独立的电源芯片，让其他SoC也能享受新的快充。

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